淘汰FinFET 升级革命性GAA晶体管：台积电重申2025量产2nm

在今天的说法会上，台积电透露了新一代工艺的进展，3nm工艺已经开始量产，2023年放量，有多家客户下单，再下一代的是2nm工艺，台积电CEO重申会在2025年量产。

与3nm工艺相比，台积电2nm工艺会有重大技术改进，放弃FinFET晶体管，改用GAA晶体管，后者是面向2nm甚至1nm节点的关键，可以进一步缩小尺寸。

相比3nm工艺，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。

不过2nm工艺的晶体管密度可能会挤牙膏了，相比3nm只提升了10%，远低于以往至少70%的晶体管密度提升。

台积电的2nm工艺应该还是会由苹果首发，今年的A16是4nm，明年的A17及后年的A18应该都是3nm，2025年的A19芯片才有可能用上2nm工艺。

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责任编辑：宪瑞

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