3nm来临：台积电良率可达80％！三星渣得没法看

三星、台积电已经先后宣布量产3nm工艺，台积电还特意举办了盛大的典礼。

台积电的命名为N3，号称5nm之后的一个全新工艺节点，可将密度增加70％，同等功耗下性能提升10-15％，同等性能下功耗降低25-30％。

三星的命名为3GAE，首次引入GAA全环绕栅极晶体管技术(初期版本)。

据半导体专业人士分析，台积电N3工艺目前的良品率低则60-70％，高则70-80％，与5nm工艺初期的水平类似。

对于刚投入量产的先进工艺来说，这已经是非常不错的良率水平，具备了大规模量产、供货的条件。

台积电还在开发N3E、N3P、N3S、N3X等不同版本，这也奠定了很好的基础。

相比之下，三星3GAE的初期良率要低得多，估计在10-20％左右，而且一直没有明显改善，芯片质量也参差不齐。

当然，以上数字都是业界估测，台积电、三星都不可能公布具体数字，只能走着瞧了。

不过，三星工艺拉胯也不是一次两次了。

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