拒绝QLC颗粒！三星守住底线：最新一代236层闪存依旧TLC

三星今天（11月7日）宣布开始量产第8代V-NAND闪存芯片，堆到了236层。

上一代V-NAND其实只有176层，已经用在了旗舰SSD固态盘990 PRO上。

关于第八代V-NAND，有两点值得一说，一是三星介绍单芯片现在可以做到1Tb，也就是256GB的超大容量。二是这次依然是TLC颗粒（3 bits/cell）。

其实，部分厂商在进入到150+层的阶段后，开始大肆制造更具成本效益的QLC颗粒，好在这次坚守住了底线。

据悉，第8代V-NAND闪存芯片采用Toggle DDR5内部接口，传输速度2400Mbps，未来用于PCIe 5.0固态盘上，典型速度将能达到12.4GB/s。

因为生产效率提升20%，最终的SSD成品模组也有望更便宜。稍稍遗憾的是，三星这次并没有透露商用产品何时首发。

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责任编辑：万南

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