芯片工艺弯道超车 三星宣布2027年量产1.4nm工艺

对于半导体行业的金科玉律，有厂商一直在喊摩尔定律已死，也有厂商不断给它续命，期望工艺继续更新下去——三星今年6月份抢先量产了3nm工艺，2025年还要量产2nm工艺，现在他们也宣布1.4nm工艺2027年量产了。

三星主管晶圆代工业务的社长崔时荣表示，将基于下一代晶体管结构全环绕栅极(GAA)技术不断创新工艺，计划2025年实现2nm芯片生产，2027年实现1.4nm工艺。

不过三星没有公布1.4nm工艺的具体细节，现在谈晶体管密度、性能及功耗还是有点早，不过对三星来说，这是继3nm抢先量产之后又一次弯道超车的机会，毕竟1.4nm量产是他们首个宣布的。

三星不是唯一一家要量产1.4nm工艺的，台积电现在也是3nm建厂量产，2nm在2025年量产，今年年中也组建了团队攻关1.4nm工艺，现在是TV0第一阶段，主要是确定2nm技术规格。

此外，Intel会在2025年量产20A及18A两代工艺，相当于友商的2nm及1.8nm，虽然不是1.4nm工艺，但三家厂商在2025前后两年的竞争回很激烈。

量产1.4nm工艺还有个条件，那就是全面上马ASML下一代的高NA EUV光刻机，NA数值孔径从目前的0.33提升到0.55，进一步提升光刻分辨率，预计在2026年开始正式上市，明年会出货样机给三大客户。

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责任编辑：宪瑞

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