弯道超车甩开台积电：三星官宣3nm芯片已量产

今天，三星电子在官网宣布，公司位于韩国的华城工厂已经开始大规模生产3nm制程半导体芯片，是全球首家量产3nm芯片的公司。

这意味着，在新一代芯片工艺的节点上，三星成功实现了对台积电的弯道超车，抢先拿下了3nm芯片市场。

根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。

与5nm相比，新开发的3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。

不过，虽然在3nm工艺上三星拔得头筹，但这并不代表三星在芯片代工市场上就能够一帆风顺。

一方面，台积电正在计划于2025年实现2nm芯片的量产，这意味着三星方面需要加紧新技术的研发工作，以防在下一代新技术上被台积电反超。

另一方面，由于4nm制程芯片的功耗问题，高通等重要客户对三星的3nm制程工艺目前都保持观望态度，不敢随意进行尝试。

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