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,本周早些时候，闪存供应商东芝和 SanDisk 宣布推出新一代闪存产品，也许有的 iPhone 用户会觉得这和我有什么关系？它们的新产品还真的和你有关系，而知情的 iPhone 用户可能早就已经乐开花了。,
本周东芝和闪迪（SanDisk）宣布推出新一代 BICS FLASH，三维（3D）堆叠单元结构的闪存。这是世界上首个 2256 千兆位（32 gigabytes）48 层 BICS 装置还部署业界领先的3位每单元（三电平单元，TLC）技术。样品供货将于 9 月份开始。而恰巧东芝和闪迪是苹果iPhone 6的两大主要闪存供应商，另外还有 SK Hynix 也是苹果供应商之一。
具体来说，东芝和闪迪开发出的 32GB 闪存模块与现有模块相比，速度将大幅提升，同时能耗将进一步降低。Computer World 指出新芯片使用的是 15 纳米制程。BICS FLASHTM 是基于一个前沿 48 层堆叠的过程，超越了主流二维 NAND 闪存存储器的容量，同时提高写入/擦除可靠性耐力和升压写入速度。新 256GB 装置适用于不同的设备，包括消费类 SSD、智能手机、平板电脑、内存卡以及数据中心使用的企业级 SSD。
东芝在新闻发布会上并没有提及这种新存储产品的潜在客户，但是从苹果与东芝的合作来看，未来两者还是可能会继续合作下去，因此这种新型 3D NAND 闪存很可能会出现在 iPhone 7 上。
闪迪表示，这是世界上首款 256GB X3 芯片，使用领先世界的 48 层 BiCS 技术开发，这展示了闪迪在 X3 技术方面的实力。我们会使用这一技术为我们的用户提供有竞争力的内存解决方案。
虽然目前还只是猜测，但是从东芝这款 32GB 3D NAND 闪存模块适用在各种产品这一点上来看，明年 iPhone 7 可能将不再会有 16GB 版本。
因为东芝已经表示，新款闪存产品的样品供货将于 9 月份开始，时间上已经赶不上今年将发布的 iPhone 6s，所以我们可以确定新闪存产品不会出现在今年的产品上。东芝表示他们将会在 Fab2 工厂量产新的 BiCS Flash 闪存产品。Fab2 是东芝和闪迪合资建立的工厂，将会在明年竣工。
去年，三星是首家开始生产 3D NAND 的半导体厂商。三星表示，其 V-NAND 芯片的性能是其他芯片的 2——10 倍，写入表现是其他芯片的3倍。近期苹果开始在新的苹果电脑和笔记本中使用三星基于 3D V-NAND 的固态硬盘。
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