400 层堆叠 3D NAND 闪存将至，东京电子宣布开发出全新蚀刻技术

这项新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的高纵横比（IT之家备注：纵横比是指晶圆上形成图案的深度与宽度之比）蚀刻，与此前的技术相比耗时大幅缩短。TEL介绍，该技术能够将生产工艺中给全球...

IT业界 2023-06-12 364 #NAND #东京电子